等离子增强化学气相沉积--PECVD
本文小编专门写了一篇文章介绍了我单位的PECVD镀膜能力 ，方便大家对PECVD的一个基本工艺有个简单的了解，同时针对光学应用，我单位也提供了基本的工艺参数和光学测试数据等方便客户做仿真和模拟。同时我单位对PECVD镀膜工艺开发有一定技术积累，能够依照客户的需求调整薄膜的折射率，应力等参数。
目前我单位主要提供 2-12寸的 PECVD镀膜
12寸的PECVD镀膜线：--该设备主要应用于封装
12寸PECVD镀膜（设备名称：AMAT PRODUCT GT，3%膜厚均匀性，0.5um的颗粒管控＜20ea，可提供AOI扫描数据）：
支持材料：
SIN （工艺温度：350度）
SIO2（工艺温度：180度-350度） SICN（用于最先进混合键合）
6寸和8寸的PECVD镀膜线
8寸PECVD镀膜（设备名称：AMAT PRODUCT GT，5%膜厚均匀性，暂无颗粒管控）：
支持材料：
ASI非晶硅 ，SIN （工艺温度：350度）SIO2（工艺温度350度）,TEOS SIO2
光学应用客户请看：
目前pecvd镀膜被普遍用到光学器件上，非晶硅薄膜用于940 850nm波段的超透镜 ，氮化硅薄膜用于可见光波段的超透镜及PIC光器件。
为了方便各位客户的选用，小编想要分享下述信息给各位：
1.你们单位的非晶硅，氮化硅，氧化硅的折射率是多少？
氧化硅：
PECVD SiO2-200nm on BF33 Schott
非晶硅：
PECVD-a-Si-460nm ON 6inch Fused Silica JGS1
PECVD-a-Si-300nm ON 6inch Fused Silica JGS1
PECVD-a-Si-420nm ON 6inch Fused Silica JGS1
氮化硅：
PECVD-SiN-20nm ON 500um 8inch BF33
PECVD-SiN-100nm ON 500um 8inch BF33
PECVD-SiN-50nm ON 500um 8inch BF33
PECVD-SiN-500nm ON 500um 8inch BF33
PECVD-SiN-1000nm ON 6inch Fused Silica JGS1
PECVD-SiN-500nm ON 8inch Fused Silica
2.你们有哪些厚度的衬底?
目前我们常备 6寸 厚度 500um 700um 800um JGS1石英玻璃晶圆 ，6寸675umBF33 8寸BF33玻璃 725um，6寸 8寸 3um的热氧片，用于PIC器件开发
3.你们是否可以切割晶圆?
我们有非常成熟的切割工艺
4.你们pecvd做的氮化硅的损耗怎么样？
PECVD作为一种350度沉积氮化硅的工艺，沉积出来的氮化硅损耗较大，这是因为里面存有较多的H,通过高温退火可以使膜层更为致密，也可以去除里面的H。
但是 ，pecvd的氮化硅的获取比较便宜和简单，做工艺理论验证低成本高效，如果预算有限，先试一试可能是很好的选择。
业务流程（必读）：
尊敬的客户，联系销售后，请准确提供以下信息，方便技术团队判定是否可以生产，节约沟通成本，请复制下方信息，填写完成后发给销售，感谢您的理解与支持。
1.衬底长宽厚及材质：
2.表面膜层材质和厚度（如果衬底表面已经有膜层，）：
3.需要进行原子层衬底的膜层材质及厚度：
4.表面是否有结构及胶，如果有结构请提供版图及结构深度，如果有胶请告诉胶水型号及厚度：
