等离子增强化学气相沉积--PECVD
基本原理：
等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一种利用等离子体来增强化学气相沉积过程的方法。它在较低的温度下实现了薄膜的沉积，使其适用于温度敏感的基材和各种材料的沉积。PECVD技术广泛应用于半导体制造、光电子器件、太阳能电池、保护涂层等领域。
加工能力：
材料：Si3N4(氮化硅)，SiO2(氧化硅)，α-硅（非晶硅）
尺寸：2-8寸
工艺流程：
1. 反应气体供应：
将反应气体（如硅烷SiH₄、氨气NH₃、氧气O₂等）引入反应室。
2. 等离子体产生：
在反应室中通过射频（RF）电源或微波电源产生等离子体。高能电子将反应气体离解成活性种（如自由基、离子、原子），这些活性种参与沉积反应。
3. 沉积反应：
在等离子体的作用下，活性种在基材表面发生化学反应，形成固态薄膜并沉积在基材上。由于等离子体的高能量，沉积温度可以大大降低（通常在100°C至400°C之间）。
4. 副产物排放：
沉积过程中的副产物通常以气体形式存在，并通过排气系统被移除。
优点：
低温沉积：能够在较低的温度下实现薄膜沉积，适用于温度敏感的材料和器件。
高沉积速率：相对于其他化学气相沉积方法，PECVD的沉积速率较高。
均匀性好：可以实现大面积、均匀的薄膜沉积。
多样性材料：适用于多种材料的沉积，包括氧化物、氮化物、碳化物等。
薄膜质量高：沉积的薄膜具有良好的附着力、致密性和高纯度。
应用领域：
1. 半导体工业：
绝缘层：如氮化硅（Si₃N₄）和氧化硅（SiO₂）薄膜，作为绝缘层和钝化层。
阻挡层和钝化层：用于晶体管、存储器等器件的制造。
2. 光电子器件：
抗反射涂层：用于太阳能电池、光电二极管等器件，提升光学性能。
保护涂层：用于OLED显示器、激光器等，提供环境保护和延长寿命。
3. 太阳能电池：
减反射膜：提升太阳能电池的光吸收效率。
钝化层：减少表面复合，提高转换效率。
4. 防护涂层：
硬质涂层：用于刀具、模具等，提升耐磨性和使用寿命。
防腐涂层：用于金属表面，提供防腐蚀保护。
