氧化镓单晶衬底和外延片
我们可以提供氧化镓单晶衬底和外延片
单晶衬底：
尺寸：4inch,2inch,10*10mm,10*15mm
掺杂：非掺杂，Sn掺杂，Fe掺杂
晶面：100 010 001
厚度：统一为650um+-20um
外延片：
Al2o3基外延片
基本原理：
氧化镓单晶衬底的制备基本原理主要包括以下几个方面：
1. 外延生长：通过外延生长技术，在氧化镓单晶衬底上沉积氧化镓外延片，通常采用的技术包括化学气相沉积（CVD）或者分子束外延（MBE）等。
2. 晶格匹配：外延生长的氧化镓外延片需要与衬底具有良好的晶格匹配性，以确保高质量的外延片生长。
3. 掺杂控制：根据具体应用需要，对氧化镓外延片进行适当的掺杂，以调节其光学和电学性质。
种类：
氧化镓单晶衬底的种类主要包括：
1. 无掺杂氧化镓衬底：纯净的氧化镓材料衬底，通常用于制备高质量的氧化镓外延片。
2. 掺杂氧化镓衬底：通过在氧化镓中掺入特定的杂质元素，如稀土元素或过渡金属，以调节其光学、电学或磁学性质。
应用领域：
氧化镓单晶衬底在以下领域具有广泛的应用：
1. 光学器件：如激光器、LED（发光二极管）、LD（激光二极管）等。
2. 光电子器件：如光伏器件、光电探测器等。
3. 传感器：如光学传感器、化学传感器等。
氧化镓单晶衬底由于其良好的光学性能、热学性能和化学稳定性，在光电子器件制备中扮演着重要角色。其应用范围涵盖了从光通信到光电能转换等多个领域。
