SOI晶圆库存和定制加工
能力:
尺寸:4英寸,6英寸
器件层公差:+-20nm(普通级),+-5nm(高精度)
类型:
常规SOI晶圆--Normal
结构:SI-SiO2-Si
空腔SOI晶圆-Cavity
结构:Si-SiO2(带图案)-Si
腔体SOI晶圆为具有空洞等构造(腔体构造)的层积构造晶圆。
可以消减切割后的制程,可提高产品的生产量。
此外,Cavity构造能够在不同材质的基板上成形Box层,或是依照客户需求来成形。
厚氧化层SOI晶圆-Thick
结构:Si-SiO2(最厚10um)-Si
拥有厚Box层的SOI晶圆。可利用于超高耐压半导体Power device。
而且,加速度Sensor、Actuator等需要用SOI晶圆的氧化膜作为牺牲层来进行蚀刻加工的Bulk-type MEMS上特别有效。牺牲层厚的话可以确保构造体在作动上有足够的间距。可解决Sticking的问题扩大垂直方向动作范围等等。并可提高良率且可用新的思维来进行,对Device的开发作出贡献。
优势:
我们拥有完整的键合、离子注入、退火,抛光和高精度Trimming生产线,因此我们拥有强大的定制加工能力。与世界主流SOI制造商的傲慢态度不同,我们接受一块SOI晶圆的订单。同时,我们的交货速度相对较快。生产过程仅需要3-4周。
定制流程:
1.硅片准备(一般硅片的定制需要3周左右,如果是库存则无需硅片定制时间)
2.双面抛光
3.离子注入
4.键合
5.退火
6.CMP抛光
7.Trim精修(2-7流程耗时大概在4-6周)
膜厚均匀性+-3nm
库存清单
SOI 晶圆的制造工艺:
1. **起始材料选择:**
- **衬底晶圆:**基底晶圆通常是标准硅晶圆。
- **绝缘层:**最常用的绝缘体是二氧化硅 (SiO2),但也可以使用其他材料。
2. **键合技术:**
- **晶圆键合 (SOI):**硅晶圆与一层二氧化硅键合。这是通过直接键合或熔融键合等工艺完成的,其中两个晶圆接触并施加热量/压力以形成牢固的键合。
- **智能切割方法:**这是一种广泛使用的 SOI 晶圆生产方法,其中将氢离子注入薄硅层,然后键合到氧化晶圆上。然后对粘合的组件进行加热,使植入层裂开,在绝缘层上形成薄硅层。
3. **层厚度控制:**
- 必须精确控制硅层和绝缘层的厚度。这可以通过各种技术实现,包括离子注入和蚀刻。
4. **晶圆减薄:**
- 如果需要,SOI 晶圆可以进一步减薄以达到应用所需的尺寸。
5. **表面清洁和精加工:**
- 彻底清洁晶圆以去除任何污染物。还可以进行最终抛光以确保表面光滑。
6. **特性和质量控制:**
- 晶圆经过各种测试以确保它们符合要求的规格,包括电气和物理特性。
SOI 晶圆的应用:
1. **高性能集成电路 (IC):**
- SOI 技术可提高高速低功耗设备的性能,降低寄生电容,从而提高开关速度。
2. **射频 (RF) 设备:**
- SOI 晶圆因其更高的机电性能和更低的噪声系数而用于 RF 应用。
3. **超低功耗设备:**
- SOI 技术非常适合低功耗应用,例如 IoT 设备和移动电子设备,因为它可以最大限度地减少漏电流。
4. **存储设备:**
- SOI 晶圆用于制造某些类型的存储器,包括 SRAM 和闪存,以提高性能并降低功耗。
5. **微机电系统 (MEMS):**
- SOI 晶圆也用于 MEMS 制造,允许在单个芯片上集成机械和电子元件。
6. **太阳能电池:**
- 某些类型的 SOI 晶圆被研究用于太阳能电池,利用其重量轻、效率高的特点。
通过利用 SOI 晶圆的特性,制造商可以制造出速度更快、效率更高、能够满足各种现代应用需求的设备。