离子注入
离子注入
原理：
离子注入是一种低温过程，通过该过程将一种元素的离子加速进入固体靶材，从而改变靶材的物理、化学或电学性质。离子注入用于半导体器件制造和金属精加工以及材料科学研究。如果离子停止并保留在目标中，则它们可以改变目标的元素成分（如果离子的成分与目标不同）。当离子以高能量撞击目标时，离子注入还会引起化学和物理变化。高能碰撞级联可能会损坏甚至破坏目标的晶体结构，并且足够高能量（数十兆电子伏）的离子可以引起核嬗变。
加工能力：
尺寸：0-12寸
材料：任意
厚度:小于1.3mm
其他：5~250keV; H, He, P etc.
应用：
掺杂
绝缘体上硅SOI晶圆的制造
