硅光波导流片
很高兴您在这个网页看到了我们的硅光波导的加工服务
关于硅光波导的加工，目前我们提供2种加工服务。
A.电子束光刻加工光波导
优势：可以实现100nm以内波导线宽
缺点：单次加工仅出一片，性价比低
可以通过LPCVD和PECVD两种方式沉积SiO2包层,后道的晶圆切割，端面抛光
B.6寸150nmDUV流片线
优势：性价比高，一次流片可以出一个晶圆
片源尺寸：6inch
线宽：大于180nm
刻蚀深度：70nm/130nm/220nm+-10nm
套刻误差：+-50nm
波导损耗：直波导损耗2-3db/cm
加热电极：TiN热电极
光栅耦合损耗：3.8dB
1×2MMI插损：0.043dB/端
2×2MMI插损：0.27dB/个
定向耦合器：自定义分光比
All-Pass微环Q：>10的5次方
交叉波导损耗：0.028db/个
微环调制器 带宽：>30Ghz
电光开关消光比：45dB
PN调制器带宽:>30Ghz
