6英寸150nmDUV步进式光刻
背景及工艺能力
背景：目前半导体行业主流的 5 种获得光刻胶图案工艺为接触式曝光（最小线宽 2um），
激光直写（最小线宽 500nm），步进式曝光（Krf 最小线宽 150nm，ArF 最小线宽 90nm），纳米压印（最小线宽几十 nm）电子束光刻（最小线宽几十 nm）。国内在电子束，激光直写，接触式光刻，纳米压印设备均有较高的设备保有量.但是在进行小线宽加工时，电子束光刻的成本高昂，且产出低，效率低，进行纳米压印加工时需要获取其 1:1 复制的母版，同样成本高昂，且工艺流程长。步进式曝光国内有一定的保有量，但是科研院所和高校内部的 DUV 大多在 350nm,450nm,500nm 以上线宽.很多行业高速发展，AR 衍射光波导，超透镜，光子集成线路行业对线宽提出了更高的要求，上述市场的应用多在 250nm 以下。所以为了解决小线宽产品，低成本，高产出，高效率，高精度的制造的问题。上海奥麦达微提供 6 寸步进式曝光加工。其最小线宽为 150 nm，可用于大批量生产。该设
备具有全自动旋涂、显影和曝光功能，一小时可处理 20 片 6 英寸晶圆。其速度惊人.考虑到科研院所 ，高校等对此类加工的需求和经费有限的现状，上海奥麦达微提供 2 种加
工模式。
设备介绍：
• 基片尺寸：6 英寸
• 单颗 DIE 最大尺寸：22*22mm
• 最小线宽：150 nm
• 掩模缩放比：5 : 1
• 对准精度: ≤40 nm
• 对焦精度: ≤100 nm
• 步进精度: ≤20 nm
• 套刻精度：30-50nm
•支持晶圆厚度：1mm
•支持晶圆厚度：1mm
应用领域：150nm 线宽以上的各种微纳结构的加工，衍射光波导，超结构，氮化硅，铌酸锂，硅光波导，其他微纳结构
业务模式介绍
加工模式 1：GDS TO DIE（经费充足情况下）
在此模式加工，我司全程负责加工，客户只需要提供版图,我司收到客户版图后，进行评审和指标确认，最终出具验收标准，我司依照客户的需求进行全流程的加工，预付款，制版，涂胶曝光，显影，刻蚀，切割，打包，出货，客户验收，结算尾款。
客户权益的保证：最终的交付以验收标准作为客户权益的保证手段。
预计成本：以产出 1 片 6 寸 200nm 线宽结构晶圆为准，预计收费 6.5 万 1 片 ，8 万 2 片 ，
9.5 万 3 片
加工周期：3-4 周
加工模式 2：GDS TO Pattern（预算有限）
在此模式，我司仅仅进行制版，曝光，显影的加工，客户可以获得带有光刻胶的图案，这种模式是考虑到 1.绝大多数高校拥有刻蚀机，可以完成曝光后的加工艺部分 2.这种模式可以节约成本。
客户权益的保证：最终的交付以验收标准作为客户权益的保证手段。
预计成本：新结构，分实验片和正式片工艺
1. 实验片验证
客户提供 1 片基片，我们做 FEM（曝光切割 SEM 等），确定该膜层结构下的精确曝光剂量，总流程收费 9000。
2. 正式片加工
按照实验片验证的参数进行光刻，3 片 8500，4 片 9800 元，如与实验结果有明显差异，全部免费 rework
加工周期：1 周
案例展示
