150nmDUV步进式光刻机
基本原理：
光刻掩膜通常在设计时以在光刻胶层上产生1：4、1：5或者1:10的缩小图案为原则。掩膜上的图案经过一系列复杂的光学系统投影到光刻胶上。因为投影式掩模版不接触光刻胶层，它们不会轻易磨损或损坏，所以更适合运用在大容量的生产设备上。
加工能力：
设备型号：：Canon FPA-3030EX6
最小线宽间距150nm，套刻精度50nm
样品大小：4寸、6寸
应用领域：150nm线宽以上的各种微纳结构的加工，衍射光波导，超结构，氮化硅，铌酸锂，硅光波导，其他微纳结构
制版说明：
