电子束光刻
加工能力：
支持的电子束光刻胶：PMMA、HSQ、ZEP
设备1型号：JEOL JBX-9500FS
加工精度：
加速电压：100KV
曝光分辨率：10nm
套刻精度：10nm
场拼接精度：10nm
写场大小：1mm*1mm
扫描频率：100MHZ
可接受的衬底尺寸：1cm*1cm 2cm*2cm 2寸 3寸 4寸 6寸
设备2型号：EUIONIX-ELS-G100
加工精度：
加速电压：最高不低于100 kV
曝光分辨率：6nm
套刻精度：20nm
场拼接精度：15nm
写场大小：1mm*1mm
扫描频率：100MHZ
可接受的衬底尺寸：1cm*1cm 2cm*2cm 2寸 3寸 4寸 6寸
基本原理：
电子束光刻（通常缩写为电子束光刻或 EBL）是扫描聚焦电子束，在覆盖有称为抗蚀剂（曝光）的电子敏感薄膜的表面上绘制自定义形状的做法。 电子束改变抗蚀剂的溶解度，通过将抗蚀剂浸入溶剂中（显影）来选择性地去除抗蚀剂的曝光或未曝光区域。与光刻一样，其目的是在抗蚀剂中创建非常小的结构，随后通常通过蚀刻将其转移到基材材料上。
电子束光刻的主要优点是它可以绘制分辨率低于 10 nm 的自定义图案（直写）。这种形式的无掩模光刻具有高分辨率但产量低，限制了其在光掩模制造、半导体器件的小批量生产以及研究和开发中的使用。
电子束光刻的基本原理是利用高能电子束直接在感光材料上书写图案。具体步骤包括：1. 电子束生成：电子枪产生高能电子束，通常使用热发射或场发射电子枪。2. 束流聚焦：通过电磁透镜系统将电子束聚焦到纳米级别。3. 束流扫描：利用扫描线圈控制电子束的移动，按预定图案在感光材料上进行扫描曝光。4. 感光材料反应：电子束与光刻胶（如正胶或负胶）相互作用，改变光刻胶的溶解性。
工艺流程：1. 基底准备：清洁和处理待刻蚀的基底（如硅片、玻璃等），涂覆一层光刻胶。2. 曝光：在电子束光刻系统中，通过控制电子束在光刻胶上扫描，形成所需图案。3. 显影：将曝光后的光刻胶放入显影液中，溶解未曝光（或曝光）区域，形成图案。4. 刻蚀：将显影后的样品进行刻蚀工艺（如RIE或湿法刻蚀），将图案转移到基底上。5. 光刻胶去除：刻蚀完成后，去除残留的光刻胶，得到最终结构。
应用场景：电子束光刻广泛应用于以下领域：集成电路制造：用于制作高精度的微细图案和特征。纳米技术：如纳米线、纳米点等纳米结构的制作。光电子器件：如波导、光栅等光学结构的制备。微机电系统（MEMS）：用于微结构的精密加工。研究与开发：适用于高分辨率的研究项目和新材料的开发。
优点：高分辨率：电子束的波长短，能够实现亚纳米级分辨率，适用于制作极小的纳米结构。图案灵活性：无需掩膜，通过计算机控制可以直接书写任意复杂图案。高精度：定位精度高，可重复性好，适合精密加工。
