超平硅片和热氧片
硅片
上海奥麦达微提供各类硅片的定制加工 ，我们的特色产品是我们所生产的超平硅片产品 ，我们的超平硅片可以实现TTV<0.3um BOW WRAP<20um.
生产直径从 50.8 毫米到 300 毫米的优质晶圆，符合或超过半导体设备和材料国际 (SEMI) 的标准。Prime晶圆是最高等级的硅晶圆，可用于器件制造，其特性通常包括极其光滑的表面和较低的总厚度变化 (TTV。
我们拥有大量的库存，6寸 8寸是我们的常备库存产品，
热氧片
上海奥麦达微提供热氧片的定制加工 ，我们的特色产品是我们所生产的薄膜热氧片和厚膜热氧片产品 ，我们的最厚可以提供热氧层为10um的热氧片产品，最薄为50nm的热氧片产品.
可在直径 100 毫米至 300 毫米的晶圆上生长氧化物。我们保证每批次的行业标准一致性为 ±5%，但通常我们加工的晶圆合格率要高得多，使我们能够满足最严格的客户规格。通过我们的干热氧化方法，我们可以生长 500Å 至 1000Å 的氧化物，而我们的湿热氧化工艺则适用于 1,000 至 100,000Å 的氧化物。
我们拥有大量的热氧片库存 ，热氧层 500nm，1um，2um，3um是常见的厚膜热氧片产品。
热氧厚度：50nm-10um
1. 干法与湿法热氧化
下面的表 1 显示，纯晶圆热氧化工艺对于氧化物厚度 > 1000 Å 使用湿式氧化，对于氧化物厚度 < 1000 Å 使用干式氧化。这是因为湿式氧化的生长速率比干式氧化快得多，使得湿式氧化物生长成为生长厚氧化物的首选方法。湿式氧化具有更快的生长速率，因为水分子比氧分子小并且通过二氧化硅扩散得更快。然而，使用干式氧化的好处是，虽然其生长速度较慢，但比湿式氧化更受控制、更致密、更清洁。我们还可以为特殊应用生长干法和湿法氧化物的任意组合。
2. 影响热氧化的因素
方向
仅影响线性（初始）阶段的氧化物生长。具有更多可与氧化剂反应的原子的晶片将具有更快的氧化物生长速率。这使得具有 <111> 取向的硅晶片比 <100> 晶片更容易与氧化剂发生反应，因为 <111> 晶体与晶片表面平行，而 <100> 晶体与晶片表面成一定角度。晶圆表面。掺杂剂
当存在时提高增长率。 N型掺杂剂提高了线性阶段的生长速率，P型掺杂剂提高了抛物线阶段的生长速率。
氯
可以添加以提高氧化物的清洁度，提高抛物线阶段的生长速率，并提高整个器件的性能。
压力
随着压力的增加，在氧化的线性和抛物线阶段，氧化物生长速率也会增加。当压力增加时，温度可以降低，并且氧化物生长速率可以保持相同。每增加 10 个大气压，温度可降低 30°C，同时使氧化物生长速率保持恒定。
3. 退火
晶圆退火是整个行业普遍采用的做法。退火是一种高温炉操作，通常用于消除硅中的应力。它还可用于离子注入掺杂剂的激活。使用退火的进一步原因是为了减少结构缺陷，并且它还减少硅-二氧化硅界面处的界面电荷。我们有能力进行氮气退火。这是通过使用纯氮气流过炉子上方的晶圆来实现的。然后将炉子加热到特定温度并保持所需的时间。
