刻蚀

1 深硅刻蚀(DRIE)

最大深宽比 50:1 

样品大小:小片儿、4寸、6寸、8寸

2 反应离子刻蚀(RIE)

刻蚀材料:Si、SiN、SiO2

样品大小:小片儿、4寸、6寸、8寸

3 离子束刻蚀(IBE)

刻蚀材料:Au、Ti、Cr、Ni、VO2、Al2O3、W、Al、等多种金属、氧化物、氮化物

样品大小:小片儿、4寸、6寸、8寸

4 氧化硅、SiC刻蚀

刻蚀材料:石英、玻璃、SiC等

样品大小:小片儿、4寸、6寸

5 金属干法刻蚀机

Ti、TiN、Al、Al203、Ta、TaN、Mo、Ge等金属以及金属化合物的刻蚀

样品大小:小片儿、4寸、6寸

6 ICP刻蚀

刻蚀材料:GAN、GaAs、AlGaInP等

7 湿法腐蚀

酸性:H2SO4、HF、BOE、Cr腐蚀液

碱性:KOH、TMAH

8.深硅刻蚀

关于我们

OMeda(上海奥麦达微)成立于2021年,由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺,项目人员创立。目前拥有员工15人,在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合,键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时,我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学,激光器,光子集成电路,Micro LED,功率器件等行业。 我们将凭借先进的设备、仪器和经验,为您带来可靠性、性能优良的产品和高效的服务。

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