低压化学气相沉积--LPCVD
加工能力：
- 材料：SiO2(氧化硅)，Si3N4(氮化硅)，Poly Si(多晶硅),TEOS SiO2（四乙氧基硅烷)
- 尺寸：2-12寸
- 设备容量：单炉25片，单炉50片
基本原理：
低压气相化学沉积（LPCVD）是一种常用的薄膜沉积技术，通常用于在晶体管、太阳能电池、显示器件等微电子器件制造中。这种技术涉及将气态前体化合物引入反应室，在较低的压力和温度下进行化学反应，使得所需的材料以薄膜的形式沉积在基板表面上。这种方法可以控制沉积的厚度和均匀性，并且可以在复杂的结构上实现均匀的沉积。
工艺流程：
1.气体供给：将气态前体化合物通过气体供给系统输送至反应室。
2. 热解：在反应室中加热气态前体化合物，使其发生热解反应，分解成活性物种或原子。
3. 表面反应：分解后的活性物种或原子在基板表面发生化学反应，从而形成固态材料的薄膜。
4. 沉积：形成的固态材料沉积在基板表面上，形成所需的薄膜结构。
优点：
- 1. 均匀性好：能够在较大的基板表面上实现均匀的沉积，使得制造出的器件具有更好的性能和一致性。
- 2. 沉积控制：可以精确控制沉积的厚度、成分和结构，满足不同器件的要求。
- 3. 低温沉积：相比其他沉积技术，LPCVD通常在较低的温度下进行，有利于保护基板和提高器件的性能。
- 4. 高纯度材料：由于是在气相条件下进行，可以得到高纯度的沉积材料，减少杂质对器件性能的影响。
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