低压化学气相沉积--LPCVD
基本原理:
低压气相化学沉积(LPCVD)是一种常用的薄膜沉积技术,通常用于在晶体管、太阳能电池、显示器件等微电子器件制造中。这种技术涉及将气态前体化合物引入反应室,在较低的压力和温度下进行化学反应,使得所需的材料以薄膜的形式沉积在基板表面上。这种方法可以控制沉积的厚度和均匀性,并且可以在复杂的结构上实现均匀的沉积。
加工能力:
材料:SiO2(氧化硅),Si3N4(氮化硅),Poly Si(多晶硅),TEOS SiO2(四乙氧基硅烷)
尺寸:2-12寸
设备容量:单炉25片,单炉50片
工艺流程:
1.气体供给:将气态前体化合物通过气体供给系统输送至反应室。
2. 热解:在反应室中加热气态前体化合物,使其发生热解反应,分解成活性物种或原子。
3. 表面反应:分解后的活性物种或原子在基板表面发生化学反应,从而形成固态材料的薄膜。
4. 沉积:形成的固态材料沉积在基板表面上,形成所需的薄膜结构。
应用:
1. 晶体管制造:在集成电路制造中,LPCVD用于沉积绝缘层、金属导体、多晶硅等材料。
2. 太阳能电池:用于沉积光伏材料如非晶硅、氮化硅等,以提高太阳能电池的效率。
3. 显示器件:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)的制造中,用于沉积透明导电膜、亮度增强层等。
优点:
1. 均匀性好:能够在较大的基板表面上实现均匀的沉积,使得制造出的器件具有更好的性能和一致性。
2. 沉积控制:可以精确控制沉积的厚度、成分和结构,满足不同器件的要求。
3. 低温沉积:相比其他沉积技术,LPCVD通常在较低的温度下进行,有利于保护基板和提高器件的性能。
4. 高纯度材料:由于是在气相条件下进行,可以得到高纯度的沉积材料,减少杂质对器件性能的影响。