减薄和抛光
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上海奥麦达微提供机械减薄和化学机械抛光的服务，在半导体加工工，机械减薄工艺被大量用到，比如光子集成线路中包层生长后需要对顶层的包层进行化学机械抛光来降低包层的粗糙度，在薄膜铌酸锂，SOI晶圆的制备过程中在键合工艺前后均需要对材料进行减薄和抛光，在晶圆的制备过程中，经过线切割后的片子需要进行化学机械抛光后才能进行后道工艺。
但是行业内缺少，专业的可靠的机械减薄和化学机械抛光代加工的供应商
研磨减薄：
材质：
常规材质;Si,Glass，Sapphire
化合物半导体；InP,GaAs
晶体;LiTaO3/LiNbO3
先进衬底;SiC,GaN,Diamond
薄膜;Si3N4/SiO2
尺寸：4寸，6寸，8寸
CMP抛光：
材质要求：
常规材质;Si,Glass，Sapphire
化合物半导体；InP,GaAs
晶体;LiTaO3/LiNbO3
先进衬底;SiC,GaN,Diamond
薄膜;Si3N4/SiO2
尺寸：4寸，6寸，8寸
