真空蒸发镀膜
基本原理：
电子束蒸发是一种热蒸发过程，与热蒸发相比，它可以将更多的能量直接转移到源材料中。这允许沉积具有高熔化温度的材料，例如金。在这种方法中，蒸发材料被放置在坩埚或水冷铜炉中，然后通过电子束加热。热量导致源材料蒸发，然后沉积到基材上。
加工能力：
金属膜:Cr,Ti,Ni,Au,Al,Ag,Cu
氧化物:Sio2,Ti305,Ta2o5,Mgo,HfO2,MgF2
应用:光学镀膜，半导体镀膜
支持尺寸:4-12寸
优势:
A--常规机型产量大，每炉可以产出33片8寸晶圆
B--经过改造的镀膜设备在8寸晶圆上具有相对较高的薄膜均匀性1%，可以产出5片8寸晶圆
C--适用于多种材料，包括那些熔点较高且无法进行热蒸发的材料
D--提供比溅射或化学气相沉积 (CVD) 更好的阶梯覆盖
E--与溅射相比，提供更高的材料利用率和更高的沉积速率
F--与第二个离子辅助源兼容，可进行预清洗或离子辅助沉积 (IAD)
