薄膜铌酸锂晶圆
上海奥麦达微可以提供4寸和8寸的LNOI晶圆
我们提供 4-8寸的 LNOI晶圆(薄膜铌酸锂)，该晶圆采用亲水键合或者表面活化键合技术将热氧片和X铌酸锂晶体晶圆键合在一起，然后通过离子注入，退火，减薄的方式或者直接减薄和CMP抛光的方式，将厚度控制到您所需要的厚度，值得注意的是离子注入和 直接CMP和减薄这两种方式有各自的优缺点。我们为客户提供多种LNOI产品。
应用：
SAW表面声波器件--POI晶圆
TFLN PIC薄膜铌酸锂光子集成电路
支持的尺寸：4寸 6寸 8寸
晶体切向：X切（TFLN PIC用）,Y切-Y128,Y36（SAW），Z切(SAW)
加工工艺：亲水键合+退火，表面活化键合
定制加工：除了标准LNOI晶圆之外，我们同时提供LNOI晶圆的定制化加工服务。
我们的优势：全流程 全面的加工能力
*离子注入
*减薄和抛光
*表面活化键合
*亲水键合
*退火
*超高精度TRIM抛光
全面的加工能力可以为您提供快速，高效的定制化加工服务。
加工案例展示：X切300nmLN-4.7umSiO2-525umSi
结构 | 膜厚均值/A | 膜厚范围/A | TTV/μm | LTV/μm | BOW/μm | Warp/μm | Ra/nm |
X切LNOI | 3083 | 288 | 3.21 | 1.31 | -0.16 | 12.56 | 0.173 |
外观照片：
表面膜厚均匀性：
粗糙度
TTV
BOW Wrap：
加工案例展示：Y128切500nmLN-3umSiO2-525umSi
结构 | 膜厚均值/A | 膜厚范围/A | TTV/μm | LTV/μm | BOW/μm | Warp/μm | Ra/nm |
Y-X128°LNOI | 5047.1 | 90.2 | 1.77 | 0.37 | -0.64 | 13.5 | 0.168 |
外观照片：
表面膜厚均匀性：
粗糙度
TTV
BOW Wrap：
