光刻
1.接触式光刻机（MA6、EVG)
样品大小:1cm*1cm小片儿、2寸、4寸、6寸、8寸
最小线宽间距 2um 套刻精度±1um
2.步进式光刻机
Stepper i7/i10/i12、DUV光刻机
样品大小：4寸、6寸,8寸
最小线宽间距150nm 套刻精度≤0.15um
3.电子束光刻
设备1型号：
JEOL JBX-9500FS
加工精度：
加速电压：100KV
曝光分辨率：10nm
套刻精度：10nm
场拼接精度：10nm
写场大小：1mm*1mm
扫描频率：100MHZ
可接受的衬底尺寸：1cm*1cm 2cm*2cm 2寸 3寸 4寸 6寸
设备2型号：
EUIONIX-ELS-G100
加工精度：
加速电压：最高不低于100 kV
曝光分辨率：6nm
套刻精度：20nm
场拼接精度：15nm
写场大小：1mm*1mm
扫描频率：100MHZ
可接受的衬底尺寸：1cm*1cm 2cm*2cm 2寸 3寸 4寸 6寸
●应用范围:AR/VR/PESEL/VCSEL/DFB/
●材质:
金属:金/银/铜/铝
非金属:非晶硅/Si3N4/SiO2/TiO2/GaN/GaAs/InP
●类型:直光栅/闪光光栅/多级光栅/超结构/短形/圆形/三角形及其组合
●性能:
Si 特征尺寸 60nm， 深宽比10:1， 陡度90±3°
SiO2 特征尺寸 90nm， 深宽比4:1， 陡度85±3°
Si3N4 特征尺寸 55nm， 深宽比4:1， 陡度85±3°
InP 特征尺寸 100nm， 深宽比10:1， 陡度85±3°
GaAs 特征尺寸 90nm， 深宽比10:1， 陡度85±3°
铝 特征尺寸 100nm， 深宽比3:1， 陡度85±3°
金 特征尺寸 100nm， 深宽比3:1， 陡度85±3°
银 特征尺寸 100nm， 深宽比3:1， 陡度85±3°
Ta2O5
GaN
TiO2 特征尺寸 100nm， 深宽比8:1， 陡度85±3°
非晶硅 特征尺寸 100nm， 深宽比10:1， 陡度85±3°
4.背面套刻
最小线宽间距 2um 套刻精度±2um
