表面活化键合**
- 表面活化键合
- 表面激活键合（SAB）是一种室温晶圆键合技术，具有原子级清洁和激活的表面。通常使用快速原子轰击在键合之前进行表面活化来清洁表面。即使在室温下也可以获得半导体、金属和电介质的高强度接合。
- 加工能力：
- 表面活化键合可以实现大多数材料之间的键合，但是需要注意的是
- 1.表面活化键合对材料没有严格的限制，但是要求材料的键合面具有一个比较好的粗糙度和平整度
- 面型要求：TTV≤3μm；Bow≤25μm；Warp≤25μm
- 表面粗糙度要求：<0.5nm
- 表面光洁度要求：大于0.3μm颗粒＜10颗
2.表面活化键合 一般会在键合的上下基底之间加一个改性层（Modified Layer）,一般可选的材质为非晶硅（amorphous silicon ），氧化铝（Al2o3）和氧化钛(TiO2),这三种材料，在不同的应用场景可以选择不同的改性层材料，举例：如果您是做光子集成线路的表面活化键合，比如SOI-LNOI,或者制造LNOI，或者SICOI，我们一般会采用Al2O3作为改性层，这是因为氧化铝在可见光和近红外波段都有比较好的透过率。3.一般键合好后的产品都需要进行减薄和抛光，我们除了键合之外，我们还提供全套的离子注入，减薄，抛光服务。
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