表面活化键合**
表面活化键合
表面激活键合（SAB）是一种室温晶圆键合技术。在标准 SAB 方法中，首先我们对键合的表面进行高精度的抛光，获得一个极其光滑，极其平整的表面，表面在 10 -4 –10 -7 Pa超高真空(UHV) 状态下用氩原子轰击来去除了表面上吸附的污染物和天然氧化物，然后在键合的表面溅射一层中间层来增加两片衬底的键合强度，最后在室温下完成键合。
我们的的能力：
5mm以上绝大部分常见半导体材料之间的键合
加工流程：
以INP和INP材料的键合举例：
1.通过CMP等工艺对需要键合的上下表面抛光至光滑平整（表面如下要求）的可键合表面
2.在INP衬底上沉积一层改性层，本文选择的改性层是非晶硅
3.在超高真空下用Ar原子轰击需要键合的表面，去除表面的氧化层，水汽层等，使其活化
4.在室温下键合，并得到一个键合成功的复合衬底片，具有极高的键合的强度和较大面积的可用面积
业务流程：
1.依照我司提供的来料单模版V6.0填写需要键合的基片的表面情况并提出键合要求，我们的表单中有对来料基片键合表面粗糙度，BOW，Wrap指标要求，如果不符合要求，需要自行或者委托第三方抛光表面
2.我们收到您的加工单后，评估技术可行性，并进行技术沟通
3.确认好技术指标，验收标准无问题后，提供报价
4.签署合同 依照验收标准进行加工
5.加工完成后，提供键合强度等数据出货报告
特点*室温键合
由于表面活化键合采用的是先使用氩原子轰击表面使其活化，然后在中间加改性层增强两者之间的键合强度，因此这种键合方式无需退火等工艺，在室温下即可实现高强度的键合
特点*可以实现绝大部分材料的键合
表面活化键合可以实现大多数材料之间的键合，但是需要注意的是
1.表面活化键合对材料没有严格的限制，但是要求材料的键合面具有一个比较好的粗糙度和平整度
面型要求：TTV≤3μm；Bow≤25μm；Warp≤25μm
表面粗糙度要求：<0.5nm
表面光洁度要求：大于0.3μm颗粒＜10颗
特点*两个键合界面之间为了增加键合强度往往会加上中间层也叫改性层，材质一般为非晶硅、氧化铝或者氧化钛
2.表面活化键合 一般会在键合的上下基底之间加一个改性层（Modified Layer）,一般可选的材质为非晶硅（amorphous silicon ），氧化铝（Al2o3）和氧化钛(TiO2),这三种材料，在不同的应用场景可以选择不同的改性层材料，举例：如果您是做光子集成线路的表面活化键合，比如SOI-LNOI,或者制造LNOI，或者SICOI，我们一般会采用Al2O3作为改性层，这是因为氧化铝在可见光和近红外波段都有比较好的透过率。
一般键合好后的产品都需要进行减薄和抛光，我们除了键合之外，我们还提供全套的离子注入，减薄，抛光服务。
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