氮化硅光波导流片
很高兴您在这个网页看到了我们的氮化硅光波导的加工服务
关于氮化硅光波导的加工，目前我们提供2种加工服务。电子束光刻和6寸DUV直接流片，
A.电子束光刻加工光波导
优势：可以实现100nm以内波导线宽
缺点：单次加工仅出一片，性价比低
同时我们可以加工100nm-800nm厚度的薄膜，同时可以通过LPCVD和PECVD两种方式沉积SiO2包层,后道的晶圆切割，端面抛光
支持厚度：最厚800nm
B.6寸150nmDUV流片线
优势：性价比高，一次流片可以出一个晶圆
缺点：线宽目前最小仅支持150nm
目前工艺能力：成熟制程厚度200nm和400nmSi3N4薄膜厚度流片
单端光栅损耗7.5dB左右 AWG通道损耗 双端插损最小-28dB • 波导损耗估值0.2~0.5dB/cm • AWG串扰~20dB • AWG插损4db~5dB
支持厚度：最厚400nm
核心指标：
200nm SiNx的测试：
• 波导损耗估值0.2~0.5dB/cm
• AWG串扰~20dB
• AWG插损4db~5dB
•双端插损最小-28dB
•单端光栅损耗7.5dB左右
ICP刻蚀
• ICP SiN的刻蚀结果
• 200nm/400nm的结果 • 垂直度>88°
• 选择比1.5左右
• 6inch均匀性<3%
上包层PECVD生长SiO2
• PECVD生长800nmSiO2
• 包覆性效果如SEM图4
