6寸薄膜钽酸锂晶圆（LTOI）
上海奥麦达微可以提供4寸和6寸的LTOI晶圆
我们提供 4-6寸的 LTOI晶圆(薄膜钽酸锂)
应用：
SAW表面声波器件--POI晶圆
TFLT PIC薄膜钽酸锂光子集成电路
支持的尺寸：4寸 6寸
晶体切向：X切（光学）,Y切-Y42（SAW），Z切(量子)
铌酸锂层厚度：300nm-600nm（SMARTCUT），>600nm（减薄抛光）
热氧层厚度：50nm-20um
衬底厚度：4寸（675um），6寸（675um），8寸（725um）
加工工艺：亲水键合+退火，表面活化键合
定制加工：除了标准LTOI晶圆之外，我们同时提供LTOI晶圆的定制化加工服务。
我们的优势：全流程 全面的加工能力
*离子注入*减薄和抛光*表面活化键合*亲水键合*退火*超高精度TRIM抛光全面的加工能力可以为您提供快速，高效的定制化加工服务。
钽酸锂薄膜分为厚膜（大于600nm）和薄膜（300nm-600nm）
薄膜钽酸锂
采用亲水键合或者表面活化键合技术，先对钽酸锂晶体进行离子注入加工，然后将热氧片和X切或Z切钽酸锂晶体晶圆键合在一起，通过退火扩大离子注入的缺陷，剥离钽酸锂衬底，留下钽酸锂薄膜，在对表面进行CMP抛光和离子束精修得到成品，将厚度控制到您所需要的厚度。
厚膜钽酸锂
采用亲水键合或者表面活化键合技术，直接将钽酸锂晶体和热氧片键合在一起，然后直接采用减薄抛光的方式对钽酸锂晶体进行减薄，减薄到10um左右厚度，然后进行CMP加工，在抛光至近似厚度之后，在进行离子束精修，对表面的膜厚精度进行精修。这样得到的晶圆可以在6英寸上保持+-100nm的膜厚均匀性。
值得注意的是离子注入和 直接CMP和减薄这两种方式有各自的优缺点。我们为客户提供多种LNOI产品。
钽酸锂晶体分为同成分铌酸锂和近化学计量比钽酸锂
我们也可以提供近化学计量比钽酸锂，相对于市场上常用的同成分钽酸锂晶体，近化学计量比钽酸锂晶体具有更大的电光系数和非线性光学系数，以及更小的矫顽场以及更小的短波吸收。可以表现出更优异的性能。目前同成分薄膜钽酸锂晶圆支持4-8寸加工，近化学计量比薄膜钽酸锂晶圆支持4-6寸加工，如果你对近化学计量比钽酸锂感兴趣，请点击这个链接：近化学计量比钽酸锂晶体
