氮化镓晶圆及外延片
我们可以提供氮化镓外延片和氮化镓单晶衬底。
外延片：
硅基氮化镓外延片（最大8寸）
蓝宝石基氮化镓外延片（最大6寸）
碳化硅基氮化镓外延片（最大6寸）
金刚石基氮化镓外延片（最大2寸）
单晶衬底：
无掺杂氮化镓衬底（最大6寸）
硅掺杂氮化镓衬底（最大6寸）
镁掺杂氮化镓衬底（最大6寸）
应用：
氮化镓基射频器件
氮化镓基HEMT
氮化镓基LED
氮化镓基可见光激光器
基本原理：
氮化镓（GaN）单晶衬底和外延片是半导体行业中重要的材料，特别是在高功率电子器件和光电子器件中。了解其基本原理和种类对材料科学和器件制造至关重要。
1. 氮化镓单晶衬底：
单晶衬底是由氮化镓材料制成的单晶片，用于在其表面生长外延层。
制造方法：氮化镓单晶衬底通常通过氢化气相外延法（HVPE）或金属有机化学气相沉积法（MOCVD）制备。这些方法通过化学反应在基片上沉积氮化镓单晶。
2. 氮化镓外延片：
外延片是在单晶衬底上通过外延生长方法沉积的氮化镓薄膜，形成的多层结构。
外延生长：外延生长通常使用MOCVD或分子束外延（MBE）技术，在单晶衬底上沉积一层或多层高质量氮化镓薄膜。这些薄膜的晶格结构和化学组成与衬底材料匹配。
种类：
1. 氮化镓单晶衬底的种类：
无掺杂氮化镓衬底：纯氮化镓材料，常用于高电子迁移率晶体管（HEMT）和激光二极管（LD）等器件。
掺杂氮化镓衬底：通过掺入特定元素（如硅、镁）来调节材料的电学性质。例如，n型掺硅氮化镓衬底用于制作高电子迁移率器件，p型掺镁氮化镓衬底用于制作LED。
2. 氮化镓外延片的种类：
GaN基LED外延片：通常包括一层n型GaN、一层发光层（InGaN或AlGaN）和一层p型GaN，用于制作LED。
GaN基功率器件外延片：包括一层高质量GaN层和AlGaN/GaN异质结结构，用于制作高电子迁移率晶体管（HEMT）。
GaN基激光器外延片：包括多层量子阱结构和掺杂GaN层，用于制作激光二极管（LD）。
外延技术：
1. 金属有机化学气相沉积（MOCVD）：
原理：通过金属有机物（如三甲基镓）和氨气在高温下反应，在衬底上沉积氮化镓薄膜。
优点：高质量薄膜、良好的厚度和成分控制，适合大面积生长。
2. 分子束外延（MBE）：
原理：在高真空条件下，通过氮源和镓源的分子束在衬底上沉积氮化镓薄膜。
优点：精确的厚度控制和原子级的界面质量，适合研究和开发高性能器件。
应用：
高功率电子器件：如HEMT、功率放大器和开关器件。
光电子器件：如LED、LD、紫外探测器和光伏器件。
传感器：高温、高频和辐射环境下的传感器。
总结来说，氮化镓单晶衬底和外延片在现代半导体技术中具有重要作用，通过不同的制备和外延技术，可以实现不同类型和应用的氮化镓器件。
