绝缘体上碳化硅（SICOI）
上海奥麦达微可以提供4寸和6寸的4H-SICOI晶圆
应用领域：
*基于SICOI晶圆的PIC光子集成线路
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Wafer-scale 4H-silicon carbide-on-insulator (4H–SiCOI) platform for nonlinear integrated
Nonlinear Integrated 4H-SiC-on-Insulator Platform
*基于SICOI晶圆的MEMS声学和MEMS陀螺仪
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下面是我们的基于两种工艺的一个参考规格书，如果想要了解更多 ，请联系我们
Grinding-CMP fabricated 6 inch SiCOI
High-purity semi-insulating 4H-SiC, on-axis, Orientation: {0001} ±0.25 deg, thickness: 1um±0.1um；
SiO2 thickness 3um，Si (100) 675+-25um
SiC C-face up, roughness Rq<0.2nm （5um*5um）after CMP
Smartcut fabricated 6 inch SiCOI
High-purity semi-insulating 4H-SiC, on-axis, Orientation: {0001} ±0.25 deg, thickness: 1um±0.02um (Wafer specification need to be checked before processing)
SiO2 thickness 3um
Si (100)
SiC c-face up, roughness Rq<0.2nm after CMP
我们提供 4-6寸的 4H-SICOI晶圆(绝缘体上碳化硅晶圆)，该晶圆采用表面活化键合技术将热氧片和导电型碳化硅晶圆或者高纯半绝缘碳化硅晶圆键合在一起，然后通过离子注入，退火，减薄的方式或者直接减薄和CMP抛光的方式，将厚度控制到您所需要的厚度，值得注意的是离子注入和 直接CMP和减薄这两种方式有各自的优缺点。
离子注入可以提供极好的膜厚的精度 ，但是离子注入过程会对碳化硅材质造成一定的影响，在进行光学应用时，会对器件性能造成影响。
直接减薄和CMP抛光不会伤害到材料特性，可以提供很好的器件性能，但是这种方式无法很好的控制碳化硅层的厚度精度。
