绝缘体上碳化硅（SICOI）
上海奥麦达微可以提供4寸和6寸的4H-SICOI晶圆
我们提供 4-6寸的 4H-SICOI晶圆(绝缘体上碳化硅晶圆)，该晶圆采用亲水键合或者表面活化键合技术将热氧片和导电型碳化硅晶圆或者高纯半绝缘碳化硅晶圆键合在一起，然后通过离子注入，退火，减薄的方式或者直接减薄和CMP抛光的方式，将厚度控制到您所需要的厚度，值得注意的是离子注入和 直接CMP和减薄这两种方式有各自的优缺点。我们为客户提供多种SICOI产品。
键合改性层
与常规的亲水键合不同，我们采用表面活化键合技术，在键合时中间会加上一层改性层用来匹配上下键合表面，改性层的材质一般为非晶硅/氧化铝/氧化钛可选，针对光学应用我们推荐氧化铝或者氧化钛，用户可以根据自己的需求选择不同的中间层，这种键合方式可以有效的避免键合过程中的气泡，目前量产产品，依照我们规格书，我们承诺6寸晶圆最少79.8%的可用面积，。
膜厚范围及精度
基于SMARTCUT工艺
膜厚范围：50nm-20um
膜厚均匀性+-20nm
基于Grinding+CMP工艺
膜厚范围：200nm-任意厚度
膜厚均匀性：+-100nm:
数据支持:
下面是我们的基于两种工艺的一个参考规格书，如果想要了解更多 ，请联系我们
Grinding-CMP fabricated 6 inch SiCOI(膜厚精度+-100nm)
规格书
High-purity semi-insulating 4H-SiC, on-axis, Orientation: {0001} ±0.25 deg, thickness: 1um±0.1um；
SiO2 thickness 3um，Si (100) 675+-25um
SiC C-face up, roughness Rq<0.2nm （5um*5um）after CMP
6inch 1um-HPSI SICOI SPEC-AL2O3-2024
6 inch 700nm-HPSI SICOI SPEC-AL2O3-2024
6 inch 500nm-HPSI SICOI SPEC-AL2O3-2024
表面质量数据
Smartcut fabricated 6 inch SiCOI(膜厚精度+-20nm)
High-purity semi-insulating 4H-SiC, on-axis, Orientation: {0001} ±0.25 deg, thickness: 1um±0.02um (Wafer specification need to be checked before processing)
SiO2 thickness 3um
Si (100)
SiC c-face up, roughness Rq<0.2nm after CMP
离子注入可以提供极好的膜厚的精度 ，但是离子注入过程会对碳化硅材质造成一定的影响，在进行光学应用时，会对器件性能造成影响。
直接减薄和CMP抛光不会伤害到材料特性，可以提供很好的器件性能，但是这种方式无法很好的控制碳化硅层的厚度精度。
应用领域：
*基于SICOI晶圆的PIC光子集成线路
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*基于SICOI晶圆的MEMS声学和MEMS陀螺仪
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*基于SICOI晶圆的深刻蚀工艺的开发
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