主要作用：决定注入离子的深度。
物理关系：离子的加速能量越高，穿透力越强。平均投影射程 (Rp) 与能量成正相关。
质量影响：在相同能量下，原子量较小的离子（如 B）比原子量大的离子（如 As）注入得更深。
主要作用：决定注入离子的总数量及掺杂浓度。
物理关系：剂量定义为单位面积内注入的离子数 (atoms/cm^2)。它决定了杂质分布曲线下方的总面积。
独立性：在基本物理模型中，剂量只影响浓度峰值的高低，不改变峰值深度 (Rp)。
主要作用：修正深度分布并解决晶格结构带来的负面影响。
倾斜角 (Tilt)：通常设置为 7° 左右，目的是避开单晶硅的晶格通道，防止“沟道效应”导致离子非预期地深入衬底。
旋转角 (Twist)：确保在倾斜注入时，晶圆各方向的受力均匀，防止因图形遮蔽（阴影效应）导致的掺杂不均。
综合表现：最终的物理结果，主要受能量控制，并由角度提供稳定性保障。
分布形态：在无沟道效应的理想状态下，浓度随深度的分布呈高斯分布（Gaussian Distribution）。
| 参数 | 物理控制对象 | 对深度的影响 | 对浓度的影响 |
|---|---|---|---|
| 能量 | 投影射程 (Rp) | 主控因素：能量大则深 | 无直接影响 |
| 剂量 | 掺杂浓度 (Peak) | 无直接影响 | 主控因素：剂量大则浓 |
| 角度 | 分布一致性/稳定性 | 修正因素：消除沟道效应，确保深度受控 | 影响侧向分布及局部均匀性 |
低能大电流：在 3nm/2nm 节点，为了制造极浅结 (USJ)，使用低于 1keV 的能量以实现纳米级深度控制。
预非晶化 (PAI)：先注入重离子（如 Ge 或 C）破坏表面晶格，再注入功能离子，可配合角度调节彻底消除深度分布的不确定性。
关于我们：
OMeda成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。目前拥有员工15人，在微纳加工（涂层、光刻、蚀刻、双光子印刷、键合）等领域拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。 部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学等行业。
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区业盛路188号450室 电话：+86 188 233 40140 邮箱：jing.chen@omeda-optics.com
来源：OMeda
OMeda（上海奥麦达微）成立于2021年，由3名在微纳加工行业拥有超过7年经验的工艺，项目人员创立。在微纳加工(镀膜、光刻、蚀刻、双光子打印、键合，键合)等工艺拥有丰富的经验。 同时，我们支持4/6/8英寸晶圆的纳米加工。部分设备和工艺支持12英寸晶圆工艺。针对MEMS传感器、柔性传感器、微流控、微纳光学，激光器，光子集成电路，Micro LED,功率器件等行业。
