#2：a向 bto外延片

2寸 外延 a-向 bto（300nm或者500nm，或者定制）-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)

#3:C向 bto外延片

2寸 外延 c-向 bto（150nm或者300nm，或者定制）-sto 8nm(可定制)- 2um Sio2(可定制) -Si(可定制)

#离子注入铒代工

#6寸DUV步进式光刻代工，最小线宽180nm，超高性价比，可以只曝光

#快速氮化硅硅光铌酸锂流片 #高性价比 #低成本

#提供8寸 8umSiO2热氧片，6寸15um热氧片 10um热氧片 8寸10um热氧片

室温低损伤@GCIB抛光代工@束斑小（4-5mm）更均匀

#降低硬质材料化合物晶圆等绝大多数材料的表面粗糙度，比如金刚石 ，磷化铟，砷化镓，碳化硅

#提高复合衬底和镀膜膜层的器件层膜厚均匀性，

比如SOI LNOI  LTOI SICOI 等 SMARTCUT得到的薄膜 

或者镀膜所得到的膜层 ，比如镀了一层氮化硅，但是由于是cvd镀膜所得到的，表面的膜厚精度很差，粗糙度很差，可以通过粗糙度初步降低粗糙度，然后通过GCIB团簇离子束抛光来修整整面的膜厚均匀性 到0.5%以下举例：

未经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据：

Range:100-200A

经过Trimming 工艺的 6寸LN/LTOI晶圆 数据：

Range:60A以内

ALOOI晶圆；--氧化铝薄膜晶圆，键合工艺和镀膜工艺

TAOOI晶圆--氧化钽薄膜晶圆，镀膜工艺

SINOI晶圆--超低损耗氮化硅薄膜晶圆，210nm-300nm-400nm-800nm

SICOI晶圆；新型量子光学平台500nm-700nm-1um

8寸LTOI晶圆批量供应；铌酸锂的有力的竞争对手，薄膜钽酸锂晶300600

6寸X切Z切掺镁薄膜铌酸锂晶圆 ，厚膜 3um 5um 和 薄膜 100-600nm

8寸LNOI晶圆;8寸LNOI助力更大规模薄膜铌酸锂产品量产

LN/LT-SOI/Si/SIN  W2W&D2W异质集成

流片： 6寸 氮化硅 铌酸锂 硅光 超高性价比流片， 1个BLOCK的价格买一整片晶圆

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我们为客户提供晶圆（硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs，蓝宝石，碳化硅（导电，非绝缘），Ga2O3,金刚石，GaN（外延片/衬底）），镀膜（PVD,cvd,Ald，PLD）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5,ZrO2,TiN，ALN,ZnO,HfO2。。更多材料），键合（石英石英键合，蓝宝石蓝宝石键合）光刻，高精度掩模版，外延，掺杂,电子束光刻等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表，为您的科学实验加速。

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ADNAN ALI AFRIDI,1,† YONGSHENG WANG,1,† SHUANGYOU ZHANG,1 RUIXUAN WANG,2JINGWEI LI,2 QING LI,2 AND HAIYAN OU1,*

单位：Department of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, Pennsylvania 15213, USA

1. 引言

   具有卓越光学和非线性特性的集成光子平台的出现，已经彻底改变了基于微共振腔的频率梳技术，使其能够应用于从精密计量到高速电信等多个领域[1,2]。该领域的一个重要进展是发现了在芯片尺度光学微共振腔中存在的耗散性克尔孤子，这为开发低噪声、高功率效率的微型频率梳奠定了基础，这些频率梳适用于大规模生产和实际应用[3]。这些孤子可以表现为多种形式——例如呼吸孤子[4]、孤子晶体[5,6]、孤子分子[7,8]、暗孤子[9]、波克尔斯孤子[10]、暗亮孤子[11]、布里渊孤子[12,13]以及斯托克斯孤子[14]——每种形式都为电信、量子光子学及其他应用提供了独特的能力。
   在推动这一进展的材料中，绝缘体上碳化硅（SiCOI）因其卓越的特性而脱颖而出：高折射率、从可见光到中红外的宽透明窗口，以及第二阶和第三阶光学非线性的共存[15–20]。在不同的SiC多晶型中，4H-SiC吸引了最多的工程研究，并显示出最低的传播损耗。这使得4H-SiCOI成为一个卓越的线性和非线性光子器件平台[21,22]，支持如超连续谱生成[23]、二次和三次谐波生成[24,25]、拉曼激光和频率梳生成[25,26]以及跨八倍频率梳生成[27]等过程。此外，SiC显著的拉曼效应与克尔非线性的相互作用使得高效的光谱转换成为可能，可以将梳形光谱移到宽波长范围内[26,28]，这一特性对于相干波长分复用、中红外传感以及其他先进光子学系统至关重要。尽管取得了这些进展，但斯托克斯孤子——一种由拉曼散射驱动的孤子——在SiC光子学中直到现在仍未被观察到。

   
   

在这项工作中，我们报告了首次在4H-SiCOI微共振腔中生成斯托克斯孤子的实验。利用一个高质量因子（Q）的共振腔，半径为36 μm，质量因子为110万，在约1555.2 nm处泵浦，片上功率为270 mW，我们观察到在1769.2 nm处出现强的斯托克斯信号，对应约776 cm⁻¹（约23 THz）的拉曼位移。当泵浦波长从蓝移侧渐进地调谐到共振位置时，系统经历了不同的动态状态——从图灵模式到混沌梳形状态，最终达到稳定的单孤子状态。值得注意的是，斯托克斯孤子的生成是由泵浦激光器本身热稳定化的。这些结果不仅加深了我们对SiCOI微共振腔中非线性动力学的理解，而且突显了它们在生成宽带、跨八倍频率梳和实现光谱转换方面的潜力，为下一代光子技术铺平了道路。

2. 实验结果
   图1(a)展示了本研究中使用的4H-SiCOI微共振腔的照片，半径为36 μm，波导宽度为1.5 μm，厚度为630 nm。制造细节在我们之前的出版物中已有描述[26]。图1(b)展示了该共振腔的传输谱，揭示了两种横电（TE）模式族。传输谱显示，TE基模和高阶模式的自由光谱范围（FSR）分别约为491 GHz和456 GHz。基模具有110万的内在质量因子（Qint）。然而，由于拉曼激光所需的相位匹配条件，选择了1555.2 nm处的高阶模式来生成斯托克斯孤子（详见下文讨论）。如图1(c)所示，高阶模式的加载质量因子（Q）约为10万，内在质量因子为40万。图1(d)展示了集成色散Dint，表明两种模式都处于反常色散区域

图1. (a) SiC微环共振腔的显微镜图像。
(b) TE极化的传输谱。基模用棕色标记，高阶模式用蓝色标记。
(c) 1555.2 nm附近高阶模式的质量因子。
(d) 空心圆表示在1553.4 nm（TE00模式）和1555.2 nm（TE10模式）中心模式下测量的两种模式的集成色散（Dint/2π）。实线是色散的二次拟合线。拟合的D2/2π分别为46.8 MHz（TE00）和174.9 MHz（TE10）。

图2(a)展示了实验 setup。一个可调的连续波（CW）二极管激光器作为泵浦源，由任意函数发生器（AFG）控制。光通过掺铒光纤放大器（EDFA）放大，并使用光纤偏振控制器调整偏振后耦合到共振腔中。光通过一对带透镜的光纤耦合进出芯片。输出通过光谱分析仪（OSA）进行分析，并通过光二极管（PD）监测，以评估生成的微梳的相干性，使用示波器（OSC）和电光谱分析仪（ESA）进行监测。泵浦激光频率从共振的蓝移侧调谐到共振腔模式。图2(b)和图2(c)分别展示了泵浦基模1553.4 nm和高阶模式1555.2 nm时的光谱，片上功率为270 mW。

对于基模，高质量因子有助于有效地将能量转换为邻近的四波混频梳[见图2(b)]。然而，未观察到斯托克斯信号，表明该泵浦模式下没有高Q模式与拉曼增益谱重合。

相比之下，泵浦高阶模式在1769.2 nm处产生了强的斯托克斯信号[29]，对应776 cm⁻¹的拉曼位移，表明高Q共振腔模式（斯托克斯共振）的频率与拉曼增益谱一致[26,29]。这个模式被识别为基本的TE00模式（详见下一段），具有反常色散（D2/2π = 66.7 MHz），通过从C-L波段光谱测量中外推的二次多项式拟合确定。当泵浦波长进一步调谐到共振位置时，我们观察到斯托克斯波段中的梳形光谱生成，系统经历了不同的梳形状态：从图灵模式[图3(a)顶部面板]到混沌状态[图3(a)中间面板]，最终到单孤子状态[图3(a)底部面板]。单孤子光谱展示了平滑的、sech²型包络（红线）。值得注意的是，斯托克斯孤子显示出高能量效率，斯托克斯信号与相邻梳形线之间的功率差为12 dB。

除了光谱测量外，泵浦传输和这些梳形状态的强度噪声通过一个带宽为25 MHz、响应波长范围为900–2600 nm的快速光二极管进行监测。图3(b)展示了当扫描泵浦激光频率从共振的蓝移侧到红移侧时的传输，用示波器记录。红色圆圈标出了进入孤子状态的过渡时刻，该状态展示了宽广的存在范围，使斯托克斯孤子可以进行绝热访问。

图3(c)展示了混沌状态[图3(a)中间面板]和单孤子状态[图3(a)底部面板]的射频（RF）光谱。混沌状态的射频光谱显示出高噪声，表明其为非相干状态。相比之下，单孤子状态的射频光谱确认了低噪声、相干状态。图3(c)中的黑色轨迹代表了测量系统的背景噪声。与混沌梳形状态相比，孤子状态在低频范围内特别显示出更平坦和更低的噪声水平。