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微纳加工公司

本文分享一个新闻，欧洲组织多家大厂计划开发 最大12寸硅上磷化铟复合衬底及其大批量应用，本次组织了从大尺寸inp外延设备厂龙头aixtron，到复合衬底制备龙头 soitec，到器件的制备top stmicro意法半导体，到后面的设计公司等等 ，阵容豪华。

当然，现在找小编买不到 12寸的inp-on-si衬底，但是

我们可以提供 6 inch 的 inp-on-si、inp-on-sic键合晶圆,成熟工艺，交付嘎嘎快

晶圆键合--室温下通过表面活化键合法直接键合GaAs-SiC/Si和InP-Si/SIC晶片

                  INP-SIC                                      INP-SI

我们常见的键合技术 有硅玻璃键合 金金键合，金锡键合，金硅键合，临时键合等等 。但是当我们遇到一些需要低温键合，或者一些特殊材料时，或者应用场景时，上述键合方式很难满足一些特殊场景的应用，

因此科学家提出了表面活化键合技术，这种技术 使键合技术所覆盖的材料范围更加广泛，比如 

GaAs-SiC，InP-Diamond， LN-SiC，Si-Si，GaN-Dlamond,Sl-Diamond,蓝宝石-蓝宝石，金刚石-sic, sic-inp,sic-LN, ic-ga2o3,glass--glass，Si-SiC，Si-GaAs、GaAs- SiC、Si–SiC、SiC–SiC、Ge–Ge  、Al 2 O 3 -Al 2 O 3 ，GaP-InP， GaN-Si、LiNbO 3 -Al 2 O 3 、LiTaO 3 -Si and more(晶体ybyag,ndyvo4，zns,陶瓷，等等)

扩展的多材料的体系，将键合技术扩大了应用范围

*MEMS传感器             *光子集成电路                   *半导体激光器 

*功率器件                        *3D封装                        *异质集成

划重点--代工，代工，代工，卖设备

我们为客户提供晶圆（硅晶圆，玻璃晶圆，SOI晶圆，GaAs，蓝宝石，碳化硅（导电，非绝缘），Ga2O3,金刚石，GaN（外延片/衬底）），镀膜方式（PVD,cvd,Ald，PLD）和材料（Au Cu Ag Pt Al Cr Ti Ni Sio2 Tio2 Ti3O5，Ta2O5,ZrO2,TiN，ALN,ZnO,HfO2。。更多材料），键合（石英石英键合，蓝宝石蓝宝石键合）光刻，高精度掩模版，外延，掺杂,电子束直写等产品及加工服务(请找小编领取我们晶圆标品库存列表，为您的科学实验加速。

请联系小编免费获取原文，也欢迎交流半导体行业，工艺，技术，市场发展

由晶圆制造商 Soitec SA 领导的一个为期三年的欧洲研究项目已开始研究用于 6G 电信、传感和光子学电路的硅上 InP。

磷化铟电路本身的工作频率接近或超过 1THz，与硅技术相比，可提供卓越的速度和更高的能效。

该项目由 27 个成员组织和商业公司组成，名为 Move2thz，于 2024 年 6 月 1 日正式启动。该项目的目标是为硅片上磷化铟的生产制定全球标准，并为硅片上的磷化铟创建具有竞争力的设施。InP电路在欧洲量产。

该项目声称，该标准的创建将允许使用直径 300 毫米的硅晶圆来承载用于传感器、光子学和 6G 电路的 InP 电路。这将减少大容量 InP 晶圆的使用，最大限度地减少 InP 的使用，并减少该技术的生态足迹。

该项目预算为4067万欧元（约合4500万美元），其中欧盟出资1196万欧元（约合1320万美元）。项目2024年6月1号开始，持续3年，法国、瑞士、德国、瑞典、荷兰和比利时政府也提供了补充资金。该计划旨在打造覆盖全价值链的技术平台及相关生态系统。

潜在应用范围从数据中心和人工智能的光子学到用于 6G 移动通信、亚太赫兹雷达传感等的射频前端和集成天线。

Soitec 的 Smartcut 技术用于绝缘体上硅晶圆，是生产 InP-on-Si 晶圆的起点。