感应耦合化学气相沉积--ICPPECVD
基本原理：
ICPPECVD（Inductively Coupled Plasma Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种改进型的等离子体增强化学气相沉积技术，结合了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）和感应耦合等离子体（ICP）技术的优点。
1. 感应耦合等离子体（ICP）：在ICPPECVD中，利用感应耦合等离子体产生高能量的离子，这些离子激发了气态前体分子的化学反应，促进了沉积过程。
2. 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）：通过加入气体放电等离子体来提高沉积速率和质量。
3. 化学气相沉积（CVD）：利用气态前体分子在表面发生化学反应，并在基板上形成所需的材料薄膜。
加工能力：
ICPPECVD可以用于沉积各种功能材料，包括但不限于：
1. 透明导电氧化物（TCO），如氧化铟锡（ITO）、氧化锌锡（ZTO）等。
2. 碳化硅（SiC）、氮化硅（SiN）、氮化铟锡（ITN）等非晶态材料。
3. 金属薄膜，如金、银、铜等用于导电层。
4. 光学薄膜材料，如二氧化硅（SiO2）、氧化铝（Al2O3）等。
设备技术指标：
• ICP功率：13.56MHz，最大1200W
• 晶片尺寸：最大8英寸
• 下电极加热：最高300摄氏度（带He背冷）
• 反应气体：5%SiH4/He、NH3、N2 、O2、Ar、H2；
• 沉积材料：SiOx、SiNx、a-Si；
• 沉积均匀性：3%
应用场景：
1. 光学涂层：用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜，如氧化铟锡（ITO），用于显示器件和太阳能电池。
2. 纳米材料制备：制备纳米结构薄膜，如纳米颗粒、纳米线等，用于传感器、催化剂等领域。
3. 光学元件制造：制备反射镜、抗反射膜、光学滤波器等光学元件。
优点：
1. 高沉积速率：由于等离子体的激发作用，ICPPECVD具有较高的沉积速率，可提高生产效率。
2. 高质量薄膜：等离子体的作用有助于改善沉积薄膜的致密性和均匀性，提高薄膜的质量和性能。
3. 温和的沉积条件：相比于其他技术，ICPPECVD通常在较低的温度下进行，有利于对基板和薄膜材料的保护。
4. 可扩展性：适用于多种材料的沉积，可以通过调节气体前体、反应条件等参数来实现对不同材料的沉积。
