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本文小编分享一篇文章，文章主要讲了 超透镜 在“光纤”和”硅光芯片波导“，以及“硅光芯片波导”和‘’激光器‘’，耦合中起到的做用，及理论仿真设计。

小编最早和这块应用的渊源，起源于，上海交大团队的一篇文章，他们的结构为，

激光器芯片--超透镜+隔离器+超透镜--硅光芯片，这样一种结构，把超透镜做在了隔离器的两个表面上，这样来实现最大程度将光耦合到硅光芯片波导中。

而本次小编的文章，中大的团队，是将硅光芯片波导的光耦合到光纤内，同时对理论仿真进行了大量的分析。

当然作者最后的制造方法，和我前面文章的结论是类似的

a.胶水粘接

b.ebl刻

如果你也爱好 半导体，光学，光纤，硅光集成等技术及应用，可以添加小编，一起畅聊技术，市场和应用。

同时

本文想要小编想向大家介绍的是超透镜的设计仿真单位，面向企业，科研客户提供超透镜的设计，仿真和加工的前期研发服务，团队成员来自国内 TOP10 的超透镜团队，有丰富的从设计仿真到生产制造，最后评估测试的经验。

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1.我们拥有全面的内部工艺链知识，包括超光学器件的设计、母版制作、原型制作、测试、表征和制造能力。

2.我们的熟练程度在于利用纳米压印光刻（NIL）制造微纳米图案表面浮雕结构的多年经验。

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本⽂提出了⼀种基于超表⾯的光纤到芯⽚复⽤耦合器，可以实现少模光纤与 ⽚上单模波导之间的灵活模式转换和复⽤耦合。该⽅法利⽤光纤本征模的对称 特性和光相位操纵的⾼⾃由度来获得超表⾯的功能相位分布。使⽤圆柱 形纳⽶柱作为超表⾯纳⽶结构确保了其与偏振⽆关的光学响应。通过使⽤⻆谱 ⽅法和时域有限差分（FDTD）仿真，演⽰了⼏种光纤到芯⽚复⽤耦合器。研究发 现，两种或三种模式可以灵活地解复⽤，然后以低串扰耦合到相应的⽚上波导中。此外，提出了两种可能的多路复⽤耦合器制造⽅案，然后评估和讨论了相关的制 造公差和失准效应。与传统的⽚上耦合器相⽐，基于超表⾯的耦合器具有超紧 凑占地⾯积和低串扰的优点。该研究探索了超表⾯在少模光纤与⽚上单模 波导复⽤耦合中的应⽤，有望突破当前模分复⽤技术在光互连中的瓶颈，满⾜ ⽇益增⻓的光互连需求。光⼦集成芯⽚的⼤数据吞吐量。

⼀、简介

光从光纤到集成波导的有效耦合对于光电⼆极管、半导体光放⼤器等光⼦集成器件⾄ 关重要。[1-4]众所周知，集成波导结构的特征尺⼨可以是由于集成密度的增加，光纤直 径可⼩⾄数⼗纳⽶，⽽单模光纤 (SMF) 的典型直径约为 125 µm，纤芯直径接近 10 µm。[2]光纤和⽚上波导之间如此巨⼤的⼏何差异导致模场的严重失配。为此，⼈们 开发了两种类型的耦合器：光栅耦合器[5-8]和边缘耦合器[9-13]，以减轻模场失配并 降低耦合损耗。

其中，光栅耦合器利⽤光栅衍射原理将光垂直耦合到光纤 中，这导致了其固有的缺点，即带宽有限、耦合效率较低。与 光栅耦合器相⽐，边缘耦合器通过设计和优化芯⽚端⾯的 复杂波导结构，实现模场的绝热演化并改变光斑的⼤⼩。绝热演化可以使波导模式传播并转换成其他模式，⽽反射 或散射损失很⼩。

尽管已经实现了⾼达 93% (−0.32 dB) 的⾼耦合效率， [14] 例如，研究了少模光纤（FMF）中的LP11模式和绝缘体上硅（SOI）芯⽚波导中的⼀阶 横电（TE）模式之间的光栅耦合器，由耦合⼀阶模式的两个花瓣的双部分光栅结构和 ⽤于花瓣组合的 Y 结组成。[15] 这些⽅案⼤多数都是基于 SMF 与⽚上单模波导的基模 耦合。

随着数据流量的持续指数级增⻓，传统SMF的传输容 量已经接近⾹农极限。为了解决这个问题，模分复⽤（MDM） 技术被开发出来以增强光纤传输的容量，因为它可以利⽤ 空间维度并将并⾏信息路径复⽤为独⽴的正交空间模式。因此，必须解决⾼阶模式耦合挑战。

例如，研究了少模光纤（FMF）中的LP11模式和绝缘体上硅（SOI）芯⽚波导中的⼀阶 横电（TE）模式之间的光栅耦合器，由耦合⼀阶模式的两个花瓣的双部分光栅结构和 ⽤于花瓣组合的 Y 结组成。[15]

对于边缘耦合的情况，由双尖端倒锥形和Y结结构组成的光斑尺⼨转换器（SSC）也 被报道可以耦合SOI波导模式和FMF的LP11模式。[16]

然⽽，这些结构仅适⽤于第⼀⾼阶光纤模式耦合。在⽚上MDM光⽹络中，由于FMF 和波导之间存在较⼤的⼏何形状和折射率不匹配，FMF和⽚上波导的同时多模耦合仍 然是⼀项具有挑战性的任务。将两个平⾏倒锥体扩展为三尖头倒锥体，实现双模耦合 [17,18]。此外，基于相位匹配条件，三维⾮对称波导结构[19]和堆叠聚合物波导结构据 报道，[20]可⽤作 FMF 和⽚上集成波导之间的接⼝。然⽽，这些基于波导的边缘耦合 器应该始终仔细设计和 优化以满⾜多模耦合的需要，这增加了制造的复杂性。此外，这些结构可 能⾯临占地⾯积⼤和操作带宽有限的挑战。

、最近，超表⾯（⼀种⼆维超材料）[21,22]在各种光学器件中表现出 ⼩型化。了强⼤的潜⼒，例如平⾯超透镜、[23-25]波⽚、[26]涡旋光束发⽣器、[27] 和⽮量光束发⽣器，[28]由于其超紧凑的占地⾯积、多功能的功能以及 利⽤多个⾃由度来操纵亚波⻓尺度的光的能⼒。

此外，基于超表⾯的MDM技术也已在⾃由空间光通信配置中得到验证。例如，正交偏振的LP01模式被复⽤到LP11和LP12⾼阶线性偏振模式 [29]或⾼阶⽮量模式。[30]因此，与光纤相结合的元⾯有望成为FMFMDM系统中模式（解）复⽤的有前途的候选者，它可以取代传统的功能 器件，简化复杂性并最终有助于光纤的⼩型化和集成。系统。

在本⽂中，我们提出了⼀种基于超表⾯的复⽤耦合器，它不仅充当光 纤模式解复⽤器，将光纤模式（例如LP01和LP11）解复⽤为不同的模 式通道，⽽且还充当光纤到芯⽚模式转换器和耦合器，实现模式转换和 模式耦合。超表⾯的功能相分布是通过聚焦设计和基于对称特性的区 域划分⽅案来确定的。

光纤本征模。为了实现偏振不敏感，采⽤圆柱柱作为超表⾯纳⽶结构，其光学响应对于 两种偏振具有相同的相移。设计了双模和三模复⽤耦合器，然后通过⻆谱⽅法和时域 有限差分（FDTD）仿真进⾏了验证。发现光纤模式之间的串扰相当低。因此，我们只需 通过平⾯亚波⻓结构就可以集成模式解复⽤和模式耦合，有利于耦合系统的集成化和小型化。

在本⽂的其余部分安排如下。在第⼆节中，介绍了基于超表⾯的光 纤到芯⽚复⽤耦合器的⽰意图。在第 3 节中，介绍了双模和三模复⽤耦 合器，并详细讨论了制造⽅案。最后，第 4 节得出结论。

2 基于超表⾯的多路耦合器原 理图设计

基于超表⾯的多路耦合器的⽰意性配置如图1所⽰，它由标准少模光 纤、超表⾯纳⽶结构位于其上的SiO2间隔物、SSC和硅光⼦线波导组成。不失⼀般性，⼯作波⻓λ = 1550 nm的两个光纤模式LP01和LP11传播

图 1.基于超表⾯的多路复⽤耦合器的⽰意图。a) 该配置由少模光纤、附有超表⾯纳⽶结构的 SiO2 间隔物、光斑尺⼨转换器和硅光⼦线波导组成。SiO2 间隔物的 厚度为t = 250 µm。在波导侧，对于每个厚度Hs = HW =220nm的倒锥形结构，作为SSC，横向宽度从W2 =500nm逐渐改变到W1 =180nm。例如，两种光纤模式LP01 和LP11通过 SiO2垫⽚传播，然后由精⼼设计的超表⾯进⾏调制，以⽣成可与不同位置的光斑尺⼨转换器耦合的缩减模式场。超表⾯纳⽶结构的晶胞如图（b）所⽰。折射率为 3.48、⾼度h = 750 nm 的硅纳⽶柱⽴在折射率为 1.444 的⼆氧化硅基板上。亚波⻓晶格常数a设定为600nm。c) 晶胞的透射系数和相位作为柱直径的函 数，显⽰了⼀系列α-Si 周期性光栅在λ = 1550 nm 处的完整2π相位覆盖范围和接近于 1 的透射光谱。选择⼋阶α-Si 圆形纳⽶柱（红点和蓝星）以提供完整的2π 相位覆盖，由于⼏何对称性，对于垂直⼊射来说，它对偏振不敏感+ + , 穿过厚度t = 250 µm 的SiO2间隔物，然后由超表⾯调制以我 双模光纤的纤芯直径d为14μm，纤芯和包层的折射率分别为1.4485和1.444。在波导侧，对于 作为SSC的厚度Hs = Hw =220nm的每个倒锥形结构，横向宽度从W2 =500nm逐渐改变到 W1 =180nm。随着锥体横向宽度的减⼩，导模的局域化恶化，导模逐渐扩散到折射率较低的包 层中，导致模场尺⼨增⼤，有效折射率下降。该模场可以与超表⾯的简化模型场图2d所⽰。基本LP01模式的有效折射率为1.447，⽽LP11模式的有效折射

LP11 在这⾥，超表⾯不仅充当光纤模式解复⽤器，将光纤模式解复⽤到不同的节点通 道，⽽且还充当光纤到芯⽚模式耦合器，实现双模耦合。这种通过平⾯亚波⻓结构实现 模式解复⽤和模式耦合两种功能有利于光⼦集成系统的集成化和⼩型化。基于超表 ⾯的耦合器的设计可分为三部分。⾸先，每个光纤模式必须聚焦到波导的相应空间位 置，如图 1 所⽰，因此超表⾯的相位分布应 (⼆甲苯 缩减模式场的位置可以通过调整l的值来确定。应该注意的是，不⽌⼀种光纤模式通过 超表⾯传播。因此，第⼆步的思路是提出超表⾯的区域划分⽅案。更具体地说，根据光 纤模式的数量和特性将超表⾯划分为多个区域。这些区域中的⼀些区域将光纤模式 相⻓地聚焦到其他光纤模式相消地聚焦到的相应线波导位置，反之亦然。幸运的是，光 纤模式的强度和相位分布的对称特性提供了另⼀个保证。到⽬前为⽌，超表⾯的功能 相分布已经确定，那么如何利⽤超表⾯纳⽶结构实现这种相分布

第三步，为了实现偏振不敏感的超表⾯，选择圆柱形纳⽶柱作为纳⽶结构过程。2 α-Si周期性光栅和晶胞的原理图设计如图1b所⽰。纳⽶柱由折射率为3.48的硅制成，⽴ 在折射率为1.444的⼆氧化硅基底上。为了实现完整的2π覆盖，我们将亚波⻓晶格常 数a设置为 600 nm，这确保只有零衍射存在。此外，根据模拟，纳⽶柱的⾼度h设置为 750 nm。使⽤严格耦合波分析 (RCWA)[31] 对 α-Si 周期性光栅进⾏仿真，以演⽰图 1c 中的⽬标透射

研究发现，所提出的直径范围从0到近500 nm的α-Si纳⽶柱可以在1550 nm的⼯作波 ⻓下⽀持⾼透射率（蓝⾊曲线）和完整的2π相位覆盖（红⾊曲线）。因此，我们选择 直径分别为320、347、371、400、446、484、205和281 nm的⼋阶α-Si圆形纳⽶柱，以提 供完整的2π相位覆盖。相应的传输系数分别为0.974、0.973、0.949、0.893、0.907、 0.98、0.972和0.98。

我们以两种光纤模式LP01和LP11为例，来明确说明超 两种模式的幅度和相位分布分别如图2a、b 所⽰。超表⾯可以统⼀分为三个区域，如图 2c 所⽰。为了⽅便起⻅，我们⽤I来表⽰中间的⼀个，⽤II和II分别表⽰左边和右边的 ⼀个。区域I、 II和II的相位分布选择为φ (x, y; l)、 φ (x, y; -l)和相位响应。(x, y; -l) -π分别来⾃⽅程 (1)。对于LP01模式，图2a中具有均匀相位分布的类⾼斯光束的基本模 式，它可− 由于相⻓⼲涉， y轴上的焦点a减⼩。相⽐之下， y轴的a点在经过区域II和II时出 现减少的模场。因此， LP01模式可以很好地引⼊相应的线波导位置匹配。对于图 2b 中的LP11模式，其强度分布显⽰在电场偏振⽅向上远离光轴的两个对 称最⼤值。两个花瓣的相位分别为0和π。这些特征启发了我们区域划分⽅案和区域II和 II的π相位差设置的想法。1.445。模传播通过区域I ，然后聚焦到y轴上的a点，发⽣相消下式给出 模传播通过区域II和II ，然后聚焦到y轴上的a总之，通过正确设计的功能超表⾯， LP01和LP11模式可以分别以中⼼亮点的形式聚焦在a 点和a点上。这意味着通过精⼼设计的超表⾯可以同时实现模式的模式选择聚焦和模式解 复⽤，这是基于其光操纵的⾼⾃由度和光纤本征模的对称特性。此外，由于所选纳⽶结构的 圆形对称性，我们的超表⾯与⼊射光的偏振态⽆关。当超过两种光纤模式在光路中传播时，可 以使⽤类似的设计，其细节可以在下⾯的章节中找到。

3 结果与讨论

为了验证所提出的基于超表面的光纤到芯片多路复用耦合器,本节提供了有关两种或三种光纤模式的模拟。设置的参数与上一节中的相同。具体来说,首先,充分利用光纤本征模的对称特性,通过区域划分方案设计超表面的相位分布。基于理想复合相

图2.以两个光纤节点LP01和LP11为例的超表⾯设计⽰意图。a) LP01模式的幅度和相位曲线，b) LP11模式的幅度和相位曲线。c）两种光纤模式LP01和LP11的超表 ⾯区域划分⽅案。d) a和a不同位置处的聚焦轮廓

剖⾯（图 1 中的聚焦和焦移），采⽤⻆谱⽅法来模拟光传播和模式选择聚焦的强度剖 ⾯。为了清楚地展⽰超表⾯的功能，对以下双模和三模复⽤耦合器提供了超表⾯聚焦前 后不同模式的模场⼤⼩的⽐较（请参⻅第S1节中的图S1-S4） ，⽀持信息）。此外，理 想的相位分布是通过⼋种不同直径的偏振不敏感纳⽶柱的基础来实现的。通过FDTD 模拟进⾏全波分析。

为了评估模式转换和耦合的性能，这⾥提供了⼏个评估参数。第⼀个是耦合效率η，可以表 ⽰为光纤模式与锥形波导模式之间的重

3.1.基于双模超表⾯的多路复⽤耦合

在第 2 节中，提供了双模光纤解复⽤的理想相位分布设计。超表⾯可以均匀地分为三个 区域，其相位分布为等式（1）中的φ (x, y; l)、 φ (x, y; -l) 和φ (x, y; -l) -π ， 分别。基 于相位分布，采⽤⻆谱法进⾏光传播模拟。当相位分布赋予两个光纤模式时，两个模式 被操纵到定制的模式场。LP01或LP11⼊射在yz平⾯（左列）上的光强度分别绘制在 图3a、d 中。图 3a、d 的右列还提供了相应焦平⾯处的模拟归⼀化强度分布（LP01：z = 30.82 µm， LP11：z = 33.49 µm）。发现LP01和LP 模式被解复⽤到不同的空间传输信道a和a 此外，为了演⽰使⽤超表⾯进⾏模式解复⽤和耦合，还使⽤ FDTD 模拟了将光纤模 式耦合到锥形波导的整个过程。XY 值得注意的是，图3b、e中的反锥形波导具有由图3a、d中超表⾯聚焦的光束传播⽅向决 定的偏转⻆，这也适⽤于以下双模和三模多路复⽤耦合器。经过超表⾯的传输后， LP01模式的输出被限制在右下线波导中（图3c），⽽LP11模式的传输则局域于右上 波导中（图3f）

为了清楚地看到线波导中的模场， LP01模式沿倒锥形结构的模场演变如图 S5（⽀ 持信息）所⽰。

根据⽅程（2）和（3），数值模

图 3. LP01和LP11模式基于超表⾯的复⽤耦合器的仿真结果。通过设计的相位轮廓， a) LP01和 d) LP11在y-z和聚焦x-y平⾯上的⻆谱传播的模拟结果。当采⽤圆柱形纳⽶ 柱作为超表⾯纳⽶结构时， b) LP01模式和 e) LP11模式撞击超表⾯的 FDTD 模拟结果。值得注意的是，两个光纤模式LP01和LP11被解复⽤到相应位置并转换为⽬标模式 场，在线波导中传播良好，分别如 (c) 和 (f) 放⼤所⽰。

LP01到芯⽚和LP11到芯⽚的耦合效率分别为-8.8和-12.6 dB，两个通道 的模拟串扰为-27.4和-24.2 dB。LP01和LP11模式之间的耦合效率差异 归因于图 3a（ LP01模式的⼀个主点）和 d（ LP11模式的⼀个主点，具有 多个旁瓣）右半部分中超表⾯聚焦的差异模式场轮廓。这种现象也反映在 下⾯的复⽤耦合器中。到⽬前为⽌，作为双模边缘耦合器，所提出的超表⾯ 可以同时实现LP01和LP11单波⻓ 1550 nm 的光纤到芯⽚耦合。该器件 的光谱性

双模复⽤耦合器也在 1500 ⾄ 1600 nm 范围内进⾏了评估（详细信息 请参⻅图 S6，⽀持信息）

应该指出的是，所提出的区域划分⽅案不仅适⽤于LP01和LP11，⽽且 对于更⾼阶模式也是可⾏的。作为证明，对LP11b （图4a）和LP21 （图 4e）光纤模式的研究如图 4 所⽰。在这种情况下，相位分布可以分为四个具 有相位φ (x, y; l)的区域、 φ (x, y; l) − π、 φ (x, y; −l)和φ (x, y; −l)， 如图 4b、f 所⽰。使⽤⻆谱法和FDTD法的模拟显⽰在右半部

图 4. LP11b和LP21模式基于超表⾯的复⽤耦合器的仿真结果。a) LP11b和 e) LP21光纤模式的振幅分布以及相应的相位分布也显⽰在 (a) 和 (e) 的插图中。b）基于f）区 域划分⽅案设计的四个不同区域的理想相位轮廓。通过设计的理想相位轮廓， c) LP11b和 g) LP21在聚焦x-y平⾯上的⻆谱传播的模拟结果。当采⽤圆柱形纳⽶柱作为超表 ⾯纳⽶结构来实现理想的相位分布时，d) LP11b和 h) LP21双模光纤与⽚上波导耦合的 FDTD 模拟结果。结果表明，两种光纤模式LP11b和LP21被解复⽤到d和d的相应位 置，转换为⽬标模场，分别在线波导中良好传播

3.3.多路耦合器制造的讨论

在第 3.1 节和第 3.2 节中,使用 FDTD 仿真设计并演示了基于二模和三模超表面的多路复用耦合器。在所提出的复用耦合器中,为了充分利用超透镜的数值孔径(NA)(超表面具有聚焦能力),在光纤端面和超表面纳米结构之间引入了 Si02间隔物,以允许光束扩展。与没有垫片的示例相比,这种设置确实难以制造。幸运的是,研究人员已经做出了巨大的努力,使用电子東光刻(EBL)、聚焦离子束(FIB)铣削、光刻、纳米压印、直接激光写入和纳米转移来制造类似的元器件。[32,33]

然而,现阶段几乎所有制造的光纤元器件都是由有损金属材料组成。

尽管使用 EBL 技术演示了一些简单的纳米结构,但在所提出的多路耦合器中使用 Si 等其他介电材料仍然是一个挑战,需要进一步探索。[32]由于制作设备的限制,我们无法制作复用耦合器并进行实验演示。因此,我们有必要和有用的提出可能的制造方案。基于文献[33]中的制作方法

以及所提出的多路耦合器的具体结构,我们提出了两种可能的制造方案,如下。

1)通过粘合方法将光纤端面与超表面连接:该制造方案分为两个步骤。第一步是在 Si02间隔物上制造纳米结构。具体而言,通过电感耦合等离子体化学气相沉积在 250 um 厚的 Si02 间隔物上沉积750 nm 厚的非晶硅(a-Si) 薄膜

(ICP-CVD)工艺。超表面图案和标记通过电子東光刻(EBL) 系统(例如 VistecEBPG5000 ES)在高分辨率负性抗蚀剂(例如氢倍半硅氧烷,HSO)中定义。然后通过使用SF6的感应耦合等离子体(ICP)蚀刻将图案转移到a-Si膜上。第二步是通过粘合方法将光纤面与制造的超表面连接起来。具体来说,使用飞秒激光机将制造的具有 250 um 厚度 Si02 间隔物的超表面切割成合适的圆柱形。使用支架牢适地固定少模光纤,并通过电动平台固定切割的超表面。在视觉系统的帮助下,通过电动平台的精确移动,超表面与纤维芯精确对准。最后,用紫外线固化环氧树脂将具有超表面的Si02间隔物粘合到光纤上

2)将Si02间隔物拼接到光纤上,然后使用EBL直接实现超表面纳米结构:该制造方案也分为两个步骤。第一步是将250 um 厚的 Si02 垫片熔接到少模光纤上[34]更具体地说,Si02间隔物是通过将所需直径的二氧化硅无芯光纤熔接到传输光纤上,然后将其精确切割成250 um的适当长度来实现的。

第二步是使用 EBL 在 Si02 间隔物表面实现纳米结构,这与第一个制造方案的第一步类似。但应该指出的是,EBL 技术是为晶圆加工(扁平和宽幅)而设计的,因此本质上与细而长的光纤几何形状不兼容。幸运的是，[35]中光纤的安装方式可以用来克服这种几何不匹配,这使我们能够像为晶圆加工设计的那样在光纤面上完成纳米结构的制造。

对于这两种制造方案,由于光纤面和超表面纳米结构的微小几何形状,应研究制造公差和未对准,这对多路耦合器的性能具有关键影响。我们考虑的第一个是硅纳米柱的参数(包括纳米柱的直径和高度)对耦合效率的影响。我们以两种光纤模式LP01和LP11为例,明确说明硅纳米柱参数对耦合效率的影响(图 S7,支持信息)。第二个是复用耦合器与SOI芯片波导之间的对准公差,详细信息可以参见图S8(支持信息)。制造多路复用耦合器时,土0.5 um 的 SOI 芯片容差应该是可以接受的。最后一个是由于制造过程中的不准确而导致的光纤和超表面的错位,如表S1(支持信息)所示。

4.结论

在本文中,我们提出了一种基于超表面的光纤到芯片多路复用耦合器,可以同时实现少模光纤和片上单模波导之间的模式转换和多路复用耦合。凭借超紧凑的占地面积和低串扰,这种实现有利于光子集成系统的集成和小型化。

与仅通过基模承载信息的单模耦合相比,本研究探讨了超表面在FMF和片上波导多模耦合中的应用潜力,提高光纤到芯片的信息传输能力。值得注意的是,基于超表面的光纤到芯片复用耦合器对偏振不敏感,可以通过偏振复用进一步提高信息传输能力。该研究在集成光电子领域具有广阔的应用前景,有望突破传统技术瓶颈,为光互连提供新的技术思路。

然而,在基于超表面的光纤到芯片多路复用耦合器中,有两点需要注意,这可能是我们未来的工作。首先,所提出的多路复用耦合器的耦合效率远低于传统的基本单模型耦合器。原因是超表面的复合相位分布(包括聚焦相位分布和焦点移动相位分布)导致光通过超表面不同区域时发生相消干涉。为了进一步减少耦合损耗,基于预定目标的相位分布优化是一种替代方法。另一方面,SOI芯片波导的反射会导致能量损失,因此在芯片波导上设计微米或纳米结构也有助于降低耦合损耗。